IBM的0.7奈米晶片讓摩爾定律延續十年——透過垂直堆疊電晶體
ibm公佈了一種垂直堆疊電晶體的nanostack晶片架構，密度提高50%，能效提升70%。這一突破可能為人工智慧資料中心擴展硬體擴展極限。
IBM 已開發出一種新的垂直堆疊架構，稱為 **NanoStack**，該架構在兩層中製造晶體管，以將 1000 億個晶體管裝在一個指甲大小的晶片上。這種方法繞過了量子縮放限制，與 IBM 上一代產品相比，可實現 50% 的速度提升和 70% 的能效提升。預計該技術將在十年內進入數據中心，對 AI 訓練和推理工作負載的能源足跡產生關鍵影響。隨著英特爾（Intel）、三星（Samsung）和台積電（TSMC）也在追求類似的 CFET 方法，IBM 的交錯層設計簡化了配線，加速了 3D 晶片製造的時間表。這一路線圖擴展確保了硬體能夠滿足未來 AI 模型的指數運算需求。